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美国对华HBM出口管制规则公布
發表于:2024/12/3 下午1:32:38
三星将展示42.5Gbps超高速24GB GDDR7显存
發表于:2024/12/2 上午9:55:55
三星电子官宣2025年度重大组织与高管结构调整
發表于:2024/11/27 下午1:51:40
2024Q3全球DRAM市场营收260.2亿美元
發表于:2024/11/27 下午1:01:10
TrendForce预计2025年DRAM价格将下跌
發表于:2024/11/21 上午10:19:00
ASML在2024 年投资者日会议上就市场机遇提供最新看法
發表于:2024/11/18 下午11:00:36
TrendForce研报预计2025年DRAM 价格将下跌
發表于:2024/11/18 下午8:10:34
DDR4内存正逐渐被放弃
發表于:2024/11/11 上午10:41:33
铠侠宣布斥资16.75亿元研发下一代内存
發表于:2024/11/8 上午8:52:15
TrendForce预测2025年DRAM产量同比增长25%
發表于:2024/11/7 上午10:56:35
SK海力士展出全球首款16层HBM3E芯片
發表于:2024/11/4 下午1:16:16
三星半导体业务三季度获利环比大跌40%
發表于:2024/11/1 上午8:18:53
三星前员工涉嫌向韩国泄露国产内存秘密被中国警方逮捕
發表于:2024/10/31 上午9:27:05
消息称三星下代400+层V-NAND 2026年推出
發表于:2024/10/30 上午11:22:15
消息称三星本月成功研制首批1c nm DRAM良品晶粒
發表于:2024/10/23 上午11:18:21
三星HBM3E因1a制程DRAM原因仍未通过英伟达认证
發表于:2024/10/18 上午10:19:43
TrendForce预测2024年第四季度DRAM价格涨幅放缓
發表于:2024/10/14 上午10:01:38
摩根士丹利报告显示DRAM市场寒冬将至
發表于:2024/9/19 上午11:21:01
两名前三星员工涉嫌泄露价值32亿美元商业机密被捕
發表于:2024/9/12 上午8:50:18
英飞凌支付7.5亿欧元与奇梦达和解
發表于:2024/8/25 下午3:12:50
2024年第二季DRAM产业营收环比增长24.8%
發表于:2024/8/16 上午8:50:50
消息称SK海力士启动M16扩产
發表于:2024/8/15 上午9:47:46
消息称三星电子确认平泽P4工厂1c nm DRAM内存产线投资
發表于:2024/8/13 上午10:39:10
机构预计2024年DRAM收入将激增至980亿美元
發表于:2024/8/6 上午9:56:00
传称三星将转移30%产能生产HBM
發表于:2024/7/17 下午10:10:00
DRAM和NAND现货价格下跌 短期内难以回升
發表于:2024/6/21 上午8:30:26
消息称美光正在全球扩张HBM内存产能
發表于:2024/6/20 上午8:35:40
消息称三星电子12nm级DRAM内存良率不足五成
發表于:2024/6/12 上午8:59:45
南亚科技首款1Cnm制程DRAM内存产品明年初试产
發表于:2024/5/30 上午11:19:00
消息称SK海力士将在1c DRAM生产中采用新型光刻胶
發表于:2024/5/30 上午11:13:05
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