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抢攻全球NAND Flash市场 美光宣布在新加坡兴建第3工厂
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三星电子Q1盈利超预期：146亿美元增长创新高
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国产内存自主研发不易 Intel联手紫光或王者归来
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内存SSD涨价新思路：晶圆厂停电
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IC Insights：2018年存储规模突破1600亿美元
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三星西安NAND厂启动扩产
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大事故！三星NAND工厂停电了
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三星竟投数十亿建晶圆厂 产能提升望价格下降
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传英特尔携紫光欲颠覆NAND Flash 紫光涨逾17%
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中国存储器芯片市场风云迭起 谁将成为“搅局者”
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东芝大放血 下属公司95%转手海信
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普渡研究人员发现了一种用于冷却堆叠芯片的方法
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西部数据财报抢眼 但东芝谈判案或将影响其NAND供应
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英特尔第三季度净利猛增34% 转型立下大功
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价格不断上涨 “疯狂内存条”背后的隐忧
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半导体产业竞争加剧与自主发展 ——IC China盘点2017年产业态势
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2017年靠存储市场拉动全球IC市场 将实现逆天的22%增长
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影驰发布全新ONE SSD：首用东芝64层3D闪存
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东芝存储器重启NAND投资 联合对抗三星
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东芝加码上千亿投资3D NAND WD是否参与仍在协议
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三星公司硬盘产业疲软 试图转向QLC闪存生产
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“英特尔精尖制造日”首推全球晶体管密度最高的制程工艺
發表于：2017/9/20 上午6:00:00
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三星电子波澜再起 NAND芯片市场风云变幻
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三星欲扩大在华闪存芯片产能
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为打破存储器垄断格局而生，长江存储真能续写传奇
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三星宣布推出新一代V-NAND单晶粒 容量高达1Tb
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