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电力电子课程：第 7 部分 - 功率元件MOSFET和IGBT
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Nexperia发布具备市场领先效率的晶圆级12和30V MOSFET
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豪威集团发布业内最低内阻双N沟道MOSFET
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东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET,可大幅提高电源效率
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东微半导体：公司 MOSFET、IGBT等产品不会恶意涨价
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【AFG专题系列72变】之二：无刷电机调速器我可以
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新能源OBC放量，派恩杰SiC MOS凭世界领先性能率先上车
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Microchip将为Mersen SiC电源协议栈参考设计提供 碳化硅MOSFET和数字栅极驱动器
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