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高能效功率电子技术领域的新进展
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IR 推出微电子继电器设计师手册以简化选型和电路设计
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完全自保护MOSFET功率器件分析
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奥地利微电子推出用于侧光式和直下式LCD电视的第三代LED驱动器
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IR为低功率应用推出双PQFN2x2 和双PQFN3.3x3.3功率MOSFETs扩展了PQFN封装系列
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宽输入电压范围降压型 DC/DC 控制器具 -55°C 至 150°C 的工作节温范围
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利用PowerTrench MOSFET应对更高功率密度的新挑战
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关于IGBT导通延迟时间的精确测量方法
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理解功率MOSFET的开关损耗
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一种反激变换器的RCD吸收回路设计与实现
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Diodes 全新 MOSFET 组合可减少直流电机损耗
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同步降压功率级中MOSFET电阻比的正确选择
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IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET为低功率应用扩展封装组合
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飞兆半导体功率级非对称双MOSFET器件满足电源设计人员的高功率密度和易于设计要求
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同步降压MOSFET电阻比的正确选择
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混合动力电动车应用中大功率器件的五大要素
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电源设计小贴士31：同步降压MOSFET电阻比的正确选择
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大功率IGBT器件应用中常见问题解决方法
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自制电源变压器的MOS场效应管逆变器
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英飞凌节能芯片以高于国际标准的出色性能帮助全球降低能耗
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恩智浦NextPower MOSFET以行业最低RDS (on) 全面提升效率
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英飞凌推出市场领先的集成快速体二极管的650V CoolMOS™ CFD2产品
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Diodes推出操作运行温度低于大型封装器件的超小型MOSFET
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saber下MOSFET驱动仿真实例
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Marvell推出业界首款单芯片双通道可调光LED照明驱动芯片
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IR 推出采用新型 WideLead 封装的车用 MOSFET 系列，可减少 50% 引线电阻，同时提高 30% 电流
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IR推出采用新型WideLead TO-262封装的车用MOSFET系列
發表于：2011/5/24 上午12:00:00
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