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英飞凌与飞兆半导体达成功率MOSFET兼容协议
發(fā)表于：2010/4/26 上午12:00:00
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安森美半导体扩充高压功率方案系列，推出带集成肖特基二极管的30 V N沟道功率MOSFET
發(fā)表于：2010/4/9 上午12:00:00
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Vishay Siliconix将第三代P沟道TrenchFET®技术扩展至双路12V功率MOSFET
發(fā)表于：2010/4/8 上午12:00:00
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IR 推出坚固耐用、具有低导通电阻的汽车用 MOSFET 系列
發(fā)表于：2010/4/7 上午12:00:00
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Vishay Siliconix 推出新款500V N沟道功率MOSFET
發(fā)表于：2010/4/6 上午12:00:00
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Vishay推出采用6767外形尺寸的新器件，继续扩充IHLP®系列电感器家族
發(fā)表于：2010/4/2 上午12:00:00
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Vishay发布新款microBUCKTM集成同步降压稳压器
發(fā)表于：2010/3/22 上午12:00:00
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半桥拓扑结构高端MOSFET驱动方案选择：变压器还是硅芯片？
發(fā)表于：2010/3/16 上午12:00:00
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IR推出采用PQFN封装的20V、25V及30V MOSFET，适用于ORing和电机驱动应用
發(fā)表于：2010/3/11 上午12:00:00
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60V 输入、双路输出同步降压型 DC/DC 控制器在电池供电系统中仅吸取 50uA 电流
發(fā)表于：2010/3/9 上午12:00:00
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飞兆半导体微型以封装高效产品应对DC-DC设计挑战
發(fā)表于：2010/3/2 上午12:00:00
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英飞凌推出25V OptiMOS™ 调压MOSFET 和 DrMOS系列，使典型服务器的能效达到93%
發(fā)表于：2010/3/1 上午12:00:00
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德州仪器推出具有同步整流器输出控制功能的全新环保型相移全桥控制器
發(fā)表于：2010/2/25 上午12:00:00
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Vishay Siliconix 推出符合DrMOS®规定的新款器件
發(fā)表于：2010/2/23 上午12:00:00
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双输出、多相降压型 DC/DC 控制器与 Power Block 和 DrMOS 器件运行
發(fā)表于：2010/2/23 上午12:00:00
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德州仪器推出具备板载功率 MOSFET 的全集成型Fusion Digital PowerTM 双路功率驱动器
發(fā)表于：2010/2/22 上午12:00:00
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安森美半导体扩充功率开关产品阵容，推出高压MOSFET系列
發(fā)表于：2010/2/22 上午12:00:00
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安捷伦科技公司宣布推出用于ADS软件的NXP Semiconductors的射频小信号产品设计套件
發(fā)表于：2010/2/8 上午12:00:00
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Maxim推出业内首款2串HB LED驱动器
發(fā)表于：2010/2/3 上午12:00:00
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安森美半导体100 V N沟道MOSFET系列新增具备大电流能力和强固负载性能的方案
發(fā)表于：2010/2/3 上午12:00:00
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高压、低静态电流同步降压型 DC/DC 控制器在 -55ºC 至 125ºC 的温度范围内工作
發(fā)表于：2010/2/2 上午12:00:00
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Vishay Siliconix 推出4款600V MOSFET，继续扩展Super Junction FET®技术
發(fā)表于：2010/1/27 上午12:00:00
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IR 推出适用于汽车的 DirectFET®2 功率 MOSFET，实现卓越的功率密度和性能
發(fā)表于：2010/1/27 上午12:00:00
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用于高效率降压型或升压型 DC/DC 转换器的高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器具有强大的栅极驱动
發(fā)表于：2010/1/27 上午12:00:00
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英飞凌推出性能领先业界的200V和250V OptiMOSTM系列器件，壮大功率MOSFET 产品阵容
發(fā)表于：2010/1/26 上午12:00:00
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Vishay的101/102 PHR-ST螺旋式接线柱功率铝电容器新增三种更大的外形尺寸
發(fā)表于：2010/1/25 上午12:00:00
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Vishay推出新款小尺寸100V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器
發(fā)表于：2010/1/21 上午12:00:00
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详细讲解MOSFET管驱动电路
發(fā)表于：2010/1/16 上午12:00:00
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MOSFET及MOSFET驱动电路总结
發(fā)表于：2010/1/16 上午12:00:00
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MOSFET栅漏电流噪声模型研究
發(fā)表于：2010/1/6 上午12:00:00
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