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英飞凌与尔必达就专利侵权诉讼达成和解
發表于：2010/5/21 上午12:00:00
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英飞凌推出采用TO-220 FullPAK全隔离封装的第二代ThinQ!TM碳化硅肖特基二极管
發表于：2010/5/19 上午12:00:00
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英飞凌推出第三代高速600 V 和1200 V IGBT打破开关和效率界限
發表于：2010/5/18 上午12:00:00
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英飞凌在汽车电子芯片领域独占鳌头
發表于：2010/5/17 上午12:00:00
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英飞凌推出具备最高功率密度和可靠性的新款紧凑式IGBT模块PrimePACK™ 3和EconoDUAL™ 3
發表于：2010/5/13 上午12:00:00
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英飞凌全新.XT技术大幅延长IGBT模块使用寿命，为实现200°C的更高结温铺平道路
發表于：2010/5/10 上午12:00:00
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英飞凌调整对2010财年的预期：目前预计2010财年营收增幅将高达30%，各业务部的合并利润率将超过10%。
發表于：2010/5/10 上午12:00:00
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英飞凌推出适用于高压功率MOSFET的新型ThinPAK 8x8无管脚SMD封装，旨在实现更高功率密度解决方案
發表于：2010/5/10 上午12:00:00
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英飞凌与飞兆半导体达成功率MOSFET兼容协议
發表于：2010/4/26 上午12:00:00
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英飞凌第二季度业绩强劲且前景看好
發表于：2010/4/19 上午12:00:00
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基于Infineon单片机的CAN网关研究
發表于：2010/4/6 上午12:00:00
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2010年全球MCU市场规模可达120亿美元
發表于：2010/4/2 上午12:00:00
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在恶劣环境下使用芯片智能技术；英飞凌全新推出的8位微控制器可以不受限制工作于150 °C的高温环境
發表于：2010/3/10 上午12:00:00
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英飞凌推出两个低成本8位微控制器系列，支持驱动、自动化和照明解决方案以及人机界面的高能效设计
發表于：2010/3/10 上午12:00:00
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英飞凌推出25V OptiMOS™ 调压MOSFET 和 DrMOS系列，使典型服务器的能效达到93%
發表于：2010/3/1 上午12:00:00
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英飞凌推出全球最小的3G智能手机HSPA+解决方案
發表于：2010/2/25 上午12:00:00
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英飞凌向尔必达提出专利侵权诉讼
發表于：2010/2/23 上午12:00:00
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英飞凌对Volterra半导体公司提起专利侵权诉讼
發表于：2010/1/29 上午12:00:00
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英飞凌推出新一代多模HSPA+射频收发器SMARTiTM UE2
發表于：2010/1/27 上午12:00:00
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英飞凌推出性能领先业界的200V和250V OptiMOSTM系列器件，壮大功率MOSFET 产品阵容
發表于：2010/1/26 上午12:00:00
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英飞凌推出适用于节能家电的创新功率转换器件；600V RC IGBT驱动系列满足变频电机系统的设计要求
發表于：2010/1/25 上午12:00:00
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英飞凌和飞兆半导体达成侵权诉讼和解协议
發表于：2009/12/30 上午12:00:00
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英飞凌上调2009/10财年第一季度业绩预期
發表于：2009/12/30 上午12:00:00
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英飞凌TPM安全芯片率先通过全球TCG和通用准则认证及英国政府的审批；英飞凌PC和数据网络保护安全专业技术赢得全球信赖
發表于：2009/12/18 下午2:34:23
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英飞凌向美国证券交易委员会提交年报
發表于：2009/12/18 下午2:16:08
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英飞凌推出低成本半瓦LED驱动器系列，壮大高能效照明IC产品阵容
發表于：2009/12/15 下午5:49:18
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英飞凌与诺基亚宣布合作开发高级LTE解决方案
發表于：2009/12/7 下午3:51:00
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法院撤销对于英飞凌单片集成功率级产品的禁令
發表于：2009/11/27 上午10:59:47
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英飞凌第四季度实现净盈利和充裕的自由现金流
發表于：2009/11/26 下午3:30:34
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英飞凌有线通信业务出售完成；Lantiq变身独立企业
發表于：2009/11/24 下午3:57:22
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