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FET 生物传感器的直流I-V 特性研究
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UnitedSiC（现名Qorvo）宣布推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET
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各种新型FET争先亮相
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Transphorm发布第二款900V GaN FET
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支持瓦特到千瓦级应用的氮化镓技术
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次5nm 2D材料可望突破摩尔定律限制？
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优化您的汽车USB防电池短路设计——第2部分
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智能 GaN FET安全开关参考设计
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TI推出业界首款 100 V 高压侧 FET 驱动器 可驱动高电压电池
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半导体进入微缩时代 成本依旧是决定性关键
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被高通抛弃的台积电 晶圆代工如何抵抗三星？
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4GHz 放大器在 –40ºC 至 85ºC 温度范围内 实现 <1pA 输入偏置电流
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设计一款超低噪声的S频段放大器
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为轻载工作而设计的非同步降压稳压器
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设计简易的隔离式偏压电源
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用智能MOSFET提升医疗设计可靠性及性能
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将升压稳压器用在额定电压以上
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用射频开关优化智能手机信号的设计研究
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