| TSV可靠性综述 | |
| 所屬分類：技术论文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：724 K | |
| 標簽： TSV KOZ 热应力 | |
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| 文檔介紹：对硅通孔(Through Silicon Via，TSV)技术的可靠性进行了综述，主要分为三个方面：热应力，工艺和压阻效应。TSV热应力可靠性问题体现在不同材料之间的热膨胀系数差异较大，过大的热应力可能导致界面分层和裂纹;TSV工艺可靠性体现在侧壁的连续性以及填充铜的质量;有源区中载流子的迁移率会受到TSV热应力的影响。在TSV周围规定一个保持区域(Keep-Out Zone，KOZ)。KOZ设置为载流子迁移率不超过5%的区域。当载流子迁移率超过5%，可能会导致电路的时序被破坏，使集成电路失效。 | |
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