如圖1所示，電子電能表的基本架構(gòu)包括下列各主要功能模塊：電壓電流取樣電路；16位以上分辨率的ADC；計(jì)量與控制單元；通信接口；操作界面；顯示器；存儲(chǔ)器。本文將以存儲(chǔ)器為重點(diǎn)說明為何電子式電能表需要使用鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)。
鐵電存儲(chǔ)器的技術(shù)特點(diǎn)
首先要說明的是
圖1、電子電能表的基本電路方塊圖。
存儲(chǔ)單元 www.elecfans.com" border="0" hspace="0" src="http://files.chinaaet.com/images/20101021/4d39eda4-6dfe-4a19-9913-e79aecd0f312.jpg" style="filter: ; width: 500px; zoom: 1; height: 291px" />
圖2、浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)單元
特別是當(dāng)移去電場后，中心原子處于低能量狀態(tài)保持不動(dòng)，存儲(chǔ)器的狀態(tài)也得以保存不會(huì)消失，因此可利用鐵電疇在電場下反轉(zhuǎn)形成高極化電荷，或無反轉(zhuǎn)形成低極化電荷來判別存儲(chǔ)單元是在 ”1”或 “0” 狀態(tài)。鐵電疇的反轉(zhuǎn)不需要高電場，僅用一般的工作電壓就可以改變存儲(chǔ)單元是在 ”1”或 “0” 的狀態(tài)；也不需要電荷泵來產(chǎn)生高電壓數(shù)據(jù)擦除，因而沒有擦寫延遲的現(xiàn)象。這種特性使鐵電存儲(chǔ)器在掉電后仍能夠繼續(xù)保存數(shù)據(jù)，寫入速度快且具有無限次寫入壽命，不容易寫壞。所以，與閃存和EEPROM 等較早期的非易失性內(nèi)存技術(shù)比較，鐵電存儲(chǔ)器具有更高的寫入速度和更長的讀寫壽命。