7 月 6 日消息，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（下稱“鎵仁半導(dǎo)體”）今年 6 月宣布，基于自研鑄造法單晶生長(zhǎng)與 MOCVD 外延工藝，建成全球首條 6/8 英寸氧化鎵同質(zhì)外延量產(chǎn)線，向頭部芯片客戶批量供貨。

在長(zhǎng)晶環(huán)節(jié)，鎵仁半導(dǎo)體依靠全球獨(dú)創(chuàng)的鑄造法長(zhǎng)晶技術(shù)，穩(wěn)定生長(zhǎng)出超厚氧化鎵晶體。結(jié)合公司超薄襯底加工技術(shù)，將襯底出片量提升至原有 3 至 4 倍。此外，鑄造法也進(jìn)一步降低了貴金屬銥的用量，使襯底單片成本較原來降低 80% 以上，顯著降低下游器件廠商的材料成本。

在外延環(huán)節(jié)，鎵仁半導(dǎo)體技術(shù)團(tuán)隊(duì)針對(duì)（100）面特點(diǎn)優(yōu)化關(guān)鍵工藝參數(shù)，設(shè)計(jì)特色 MOCVD 外延工藝，成為全球首家且唯一一家商用 6 英寸氧化鎵同質(zhì)外延的供貨廠商。公司出品的 6 英寸氧化鎵同質(zhì)外延片外延層厚度大于 10 μm，膜厚方差小于 1%，均勻性優(yōu)異。

此前，氧化鎵同質(zhì)外延片在全球范圍內(nèi)存在尺寸小、產(chǎn)能低、均一性差等痛點(diǎn)，很難滿足產(chǎn)業(yè)化需求。鎵仁半導(dǎo)體此次不僅實(shí)現(xiàn)了 6 英寸氧化鎵同質(zhì)外延片的全球首片交付，更是打通“單晶-襯底-外延”的全流程穩(wěn)定量產(chǎn)能力，建成全球首條 6/8 英寸氧化鎵同質(zhì)外延量產(chǎn)線，批次間品質(zhì)穩(wěn)定可控。目前海外多家企業(yè)和科研機(jī)構(gòu)已陸續(xù)下單，多家合作客戶已進(jìn)行了長(zhǎng)期穩(wěn)定采購(gòu)。

▲ 6 英寸氧化鎵同質(zhì)外延片已實(shí)現(xiàn)批量供貨（右下角為鎵仁 2 英寸外延片對(duì)比樣）

查詢公開資料獲悉，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司是一家國(guó)產(chǎn)氧化鎵材料與設(shè)備解決方案提供商，專注于超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化落地。該公司核心產(chǎn)品包括：2-8 英寸氧化鎵單晶與襯底（其中 8 英寸為國(guó)際首發(fā)）、氧化鎵垂直布里奇曼法（VB 法）長(zhǎng)晶設(shè)備、2-8 英寸氧化鎵同質(zhì)外延片（其中 8 英寸為國(guó)際首發(fā)）等，致力于構(gòu)建“設(shè)備-晶體-襯底-外延”全鏈條產(chǎn)品體系。