12月29日消息，“上海科技”公眾號發文，12月27日，在上海市科委第四代半導體戰略前沿專項支持下，中國科學院上海光機所（以下簡稱“上海光機所”）聯合杭州富加鎵業科技有限公司（以下簡稱“富加鎵業”），在國際上首次采用垂直布里奇曼法（VB 法）制備出8英寸氧化鎵晶體。

氧化鎵是第四代半導體領域代表性材料，因禁帶寬度大、擊穿場強高，在超高壓功率器件領域具有重要應用價值。

上海光機所作為國內較早從事氧化鎵晶體研究的單位，在VB法方面，聯合富加鎵業大力發展提升關鍵裝備制造、高精度模擬仿真、確定性熱場設計三大核心技術。

2024年7月在國內首次實現3英寸晶體制備，2024年12月成功制備4英寸晶體，2025年9月在國內首次實現6英寸晶體制備，2025年12月刷新國際VB法制備氧化鎵晶體的最大尺寸紀錄。

與其他方法相比，VB法在制備氧化鎵晶體方面具有多項顯著優勢，是實現大規模產業化的理想路徑：生長過程無需使用銥金，大大降低生長成本；生長過程溫度場均勻、溫度梯度小，更易實現大尺寸、高質量氧化鎵晶體的生長；可生長柱狀晶體，有效提升材料制備效率；生長過程穩定，更適合自動、規模化生產。

下一步，上海光機所、富加鎵業將會同下游用戶加快開展器件端對材料端的應用驗證，持續迭代氧化鎵材料及器件性能，全力推動氧化鎵產業化應用。