1 月 7 日消息，據(jù)澎湃新聞報(bào)道，原集微科技的首條二維半導(dǎo)體工程化示范工藝線點(diǎn)亮儀式于 1 月 6 日在上海浦東川沙成功舉行，這也是國(guó)內(nèi)首條二維半導(dǎo)體工程化示范工藝線，預(yù)計(jì)將于今年 6 月正式通線。
查詢公開資料獲悉，原集微由集成芯片與系統(tǒng)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院研究員及博士生導(dǎo)師包文中于 2025 年 2 月創(chuàng)辦，宣稱是國(guó)內(nèi)首家聚焦于超越摩爾與非硅基異質(zhì)集成技術(shù)的二維半導(dǎo)體企業(yè)。
2025 年 4 月，復(fù)旦大學(xué)集成芯片與系統(tǒng)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室周鵬、包文中聯(lián)合團(tuán)隊(duì)成功研制出全球首款基于二維半導(dǎo)體材料的 32 位 RISC-V 架構(gòu)微處理器“無(wú)極”，完全不依賴先進(jìn)的 EUV 光刻機(jī)，相關(guān)成果發(fā)表于《自然》期刊。
包文中表示，公司計(jì)劃在 2026 年 6 月實(shí)現(xiàn)這條工藝線的正式通線。今年實(shí)現(xiàn)等效硅基 90 納米的 CMOS 制程后，將于 2027 年實(shí)現(xiàn)等效硅基 28 納米工藝，2028 年實(shí)現(xiàn)等效硅基 5 納米甚至 3 納米工藝；最終在 2029 年或 2030 年，實(shí)現(xiàn)和國(guó)際先進(jìn)制程的同步。
包文中還稱：“雖然目前二維芯片的規(guī)模僅相當(dāng)于幾十年前的英特爾 8080 芯片，但一旦進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化路徑，其發(fā)展速度將遠(yuǎn)超硅基摩爾定律。二維芯片的制造工藝與硅基高度兼容，可以站在硅半導(dǎo)體的肩膀上實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展。”
周鵬表示：“我們現(xiàn)在用二維半導(dǎo)體微米級(jí)工藝，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了硅基納米級(jí)芯片的功耗表現(xiàn)。未來(lái)如果通過產(chǎn)業(yè)化方式制造，二維芯片將具備更快的速度和更低的功耗，這將為人工智能的廣泛應(yīng)用提供強(qiáng)大支持，尤其是在移動(dòng)端低功耗算力需求的場(chǎng)景，例如無(wú)人機(jī)和機(jī)器人等領(lǐng)域。”
