中國北京，2025年9月4日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工企業X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，憑借其在高功率應用領域氮化鎵（GaN）加工技術方面的專業優勢，X-FAB基于其XG035技術平臺推出針對dMode器件的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）代工服務。此舉進一步發揮和強化了X-FAB作為專業純晶圓代工企業的優勢，現可提供涵蓋GaN及其它寬禁帶半導體材料（包括碳化硅（SiC））的全套加工技術，助力無晶圓廠半導體公司實現設計落地。

　　X-FAB德累斯頓廠制造的8英寸GaN-on-Si晶圓

　　X-FAB的GaN-on-Si技術由其位于德國德累斯頓的先進8英寸晶圓廠提供。該廠是X-FAB在全球運營的六大生產基地之一，擁有穩定可靠、符合汽車行業認證標準的制造環境，且配備各類專業加工設備、測量工具和技術，并針對GaN的研發與生產進行了優化，同時兼顧模擬CMOS工藝，能夠提供滿足汽車、數據中心、工業、可再生能源、醫療等領域客戶所需的較厚GaN-on-Si晶圓。

　　得益于多年來在高壓GaN技術領域的深厚積累，繼近期發布開放XG035 dMode工藝平臺后，X-FAB如今已將內部專業能力延伸至dMode器件GaN-on-Si代工服務。該工藝包含常用于功率轉換應用的dMode HEMT晶體管（電壓可擴展范圍為100V至650V）。此外，X-FAB還可提供定制化GaN技術和產品，包括dMode、eMode HEMT，以及肖特基勢壘二極管（Schottky Barrier Diodes），這些器件廣泛應用于高頻整流、電源系統，和太陽能電池板等領域。

　　全球市場對充電設備、電動汽車、先進能源管理系統，以及更強大的數據中心等應用的需求持續增長。就數據中心而言，人工智能（AI）的訓練與部署促使對算力資源的需求不斷增加，這進而推動了對更高功率的需求，以及對更高效電能傳輸與轉換技術的需求。

　　GaN-on-Si技術是一種極具前景的半導體工藝，它能夠實現高頻開關與低導通電阻（Rds，即漏極與源極之間的電阻）。憑借其小尺寸和高電壓處理能力，GaN-on-Si技術進一步完善了X-FAB的寬禁帶芯片工藝產品線，使客戶從電網到汽車電池，乃至GPU層級，都能夠設計出更加高效節能的產品。

　　“我們擁有30多年車規級CMOS技術領域經驗——包括350nm CMOS工藝、共享工具和設備，以及BEOL，這使得我們的GaN技術具備內在的品質優勢，且顯著降低客戶進入門檻。”X-FAB德累斯頓CEO Michael Woittennek表示，“我們開發定制化技術多年，如今我們在位于薩克森硅谷中心的德累斯頓工廠為通用原型設計項目開放XG035 dMode技術平臺。我們350nm工具集的靈活性也使我們能夠快速擴大量產規模，為客戶提供快速可靠的上市途徑。”

　　“隨著GaN供應商格局的不斷演變，X-FAB正逐步發展成為專業的GaN代工合作伙伴。”X-FAB產品營銷副總裁Luigi Di Capua補充道，“我們的8英寸GaN-on-Si平臺能夠幫助客戶確保供應鏈穩定，并毫無顧慮地擴大其設計規模。”

　　目前，X-FAB已推出可簡化客戶設計流程并實現更快速入門的PDK。此外，從2025年第四季度起，還將開放公共MPW服務，允許多個客戶共享單片硅晶圓進行芯片制造。這些舉措將進一步降低原型設計及小批量生產的準入門檻。

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