6 月 13 日消息，美光當?shù)貢r間昨日宣布將在美國的投資從此前宣布的 1250 億美元擴大至 2000 億美元，包括額外 250 億美元的內存制造投資和單獨 500 億美元的研發(fā)投資。
美光此前已啟動位于其總部愛達荷州博伊西的 1 座 DRAM 內存晶圓廠建設，并計劃在紐約州克萊再建設 4 座大型內存晶圓廠。
此次的新公告則計劃在博伊西加建一座晶圓廠、建設 HBM 封裝設施、對弗吉尼亞州馬納薩斯晶圓廠進行擴建和現(xiàn)代化。
馬納薩斯晶圓廠將制造已相對成熟的 1-alpha (1a nm) DRAM，保障美國多個關鍵領域的內存供應。美國商務部已敲定對該項目的 2.75 億美元《CHIPS》法案補貼，這意味著美光所獲直接資金支持總額上升至 64 億美元。
美光在博伊西新建的第一座晶圓廠計劃于 2027 年開始生產(chǎn) DRAM，克萊建設項目有望在今年晚些時候啟動地面準備。該企業(yè)認為博伊西第二新晶圓廠將在克萊第一晶圓廠前上線；而在博伊西兩座新廠竣工后 HBM 封裝項目也將啟動。
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