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Vishay的采用延展型SO-6封装的新款 IGBT和MOSFET驱动器实现紧凑设计、快速开关和高压

器件峰值输出电流高达4 A,工作温度高达+125 °C,传播延迟低至200 ns
2024-10-29
來源:VISHAY
關(guān)鍵詞: Vishay VOFD341A VOFD343A

  美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年10月24日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出兩款采用緊湊、高隔離延展型SO-6封裝的最新IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器---VOFD341AVOFD343A。Vishay VOFD341A和VOFD343A的峰值輸出電流分別達(dá)3 A和4 A,工作溫度高達(dá)+125 °C,傳播延遲低至200 ns。

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  今天發(fā)布的光耦合器包含一個(gè)AlGaAs LED(該LED通過光學(xué)耦合方式連接到具有功率輸出級的集成電路,用于太陽能逆變器和微逆變器)、交流和無刷直流工業(yè)電機(jī)控制逆變器,以及用于UPS中交流/直流轉(zhuǎn)換的逆變級。器件非常適合直接驅(qū)動(dòng)額定值達(dá)1200 V / 100 A的IGBT。

  VOFD341A和VOFD343A支持的工作溫度高,這為更緊湊的設(shè)計(jì)提供了更高的溫度安全裕量,而器件的高峰值輸出電流無需額外的驅(qū)動(dòng)級即可實(shí)現(xiàn)更快開關(guān)。器件的傳播延遲低,可將開關(guān)損耗降至最低程度,同時(shí)有助于進(jìn)行更精確的PWM調(diào)節(jié)。

  光耦合器的高隔離封裝可支持高達(dá)1140 V的高工作電壓,因此可用于高壓逆變級,同時(shí)仍能保持足夠的電壓安全裕量。這些器件符合RoHS規(guī)范,可支持高達(dá)50 kV/μs的抗擾,從而防止在快速開關(guān)功率級中出現(xiàn)下降函數(shù)。

  VOFD341A和VOFD343A現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),訂貨周期為六周。




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