3 月 27 日消息，據(jù)荷蘭媒體 Bits&Chips 報道，ASML 官方確認新款 0.33NA EUV 光刻機 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機的技術(shù)，運行效率得以提升。

根據(jù)之前報道，NXE:3800E 光刻機已于本月完成安裝，可實現(xiàn) 195 片晶圓的每小時吞吐量，相較以往機型的 160 片提升近 22%。

下一代光刻技術(shù) High-NA（高數(shù)值孔徑） EUV 采用了更寬的光錐，這意味著其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬，會導(dǎo)致影響晶圓吞吐量的光損失。因此 ASML 提高了光學系統(tǒng)的放大倍率，從而將光線入射角調(diào)整回合適大小。

但在掩膜尺寸不變的情況下，增加光學系統(tǒng)放大倍率本身也會因為曝光場的減少影響晶圓吞吐量。因此 ASML 僅在一個方向上將放大倍數(shù)從 4 倍提升至 8 倍，這使得曝光場僅用減小一半。

而為了進一步降低曝光時間，提升吞吐量，有必要提升光刻機載物臺的運動速率。ASML 工程師就此開發(fā)了同時兼容現(xiàn)有 0.33NA 數(shù)值孔徑系統(tǒng)的新款快速載物臺運動系統(tǒng)。

對于 NXE:3800E 而言，其光學原件同之前的 3600D 機型相同，僅是配備了更高效的 EUV 光源，所以其吞吐量收益主要來自每次曝光之間的晶圓移動加速。與 3600D 相比，3800E 的載物臺移動速度提升至 2 倍，曝光步驟總時長也大約減少了一半。

更快的運行速度也帶來了能效的提升，ASML 的發(fā)言人表示，NXE:3800E 整體節(jié)省了約 20%~25% 的能源。