Vishay推出PowerPAK® 8x8L封装60 V和80 V N沟道MOSFET，优异的RDS(ON) 导通电阻低至0.65 mW
小型器件采用无引线键合鸥翼引线结构，提高板级可靠性
2022-02-09
來源：Vishay
賓夕法尼亞、MALVERN — 2022年2月7日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款n溝道TrenchFET? MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工業應用功率密度、能效和板級可靠性。為實現設計目標，60 V SiJH600E和80 V SiJH800E具有超低導通電阻，工作溫度可達+175 °C以及高連續漏極電流。節省空間的PowerPAK? 8x8L封裝采用無引線鍵合鷗翼引線結構消除機械應力，有助于提高板級可靠性。
SiJH600E和SiJH800E超低導通電阻—10 V下典型值分別為0.65 mW和1.22 mW—比同代PowerPAK SO-8封裝器件分別降低54 %和52 %，從而減小了傳導功耗，實現節能的效果。
為提高功率密度，SiJH600E和SiJH800E連續漏極電流分別為373 A和288 A，封裝占位面積比D2PAK封裝減小60 %，高度降低57 %。為節省電路板空間，每款MOSFET還可以用來取代兩個并聯的PowerPAK SO-8器件。
器件規格表：
該Vishay Siliconix器件工作溫度可達+175 °C，性能穩定可靠，適用于電源、電機驅動控制、電池管理和電動工具等應用同步整流。器件采用無鉛 (Pb) 封裝、無鹵素、符合RoHS標準，經過100 % Rg和UIS測試。
封裝對比表:
SiJH600E和SiJH800E現可提供樣品。產品供貨周期和數量的相關信息，請與Vishay或我們的經銷商聯系。
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