1月10日，陜西源杰半導體科技股份有限公司（以下簡稱“源杰半導體”或“公司”）披露招股說明書（申報稿）顯示，本次擬發行股份不超過1500萬股。本次發行均為新股，不涉及股東公開發售股份本次發行可以采用超額配售選擇權，采用超額配售選擇權發行股票數量不超過首次公開發行股票數量的15％。

在募資方面，本次募集資金用于項目及擬投入的募資金額為：10G、25G光芯片產線建設項目，擬使用募集資金金額5．70億元；50G光芯片產業化建設項目，擬使用募集資金金額1．20億元；研發中心建設項目，擬使用募集資金金額1．40億元；補充流動資金，擬使用募集資金金額1．50億元。本次股票發行后擬在上交所科創板上市。

（源自源杰半導體招股說明書）

據維科網·電子工程了解，源杰半導體聚焦于光芯片行業，主營業務為光芯片的研發、設計、生產與銷售，主要產品包括2．5G、10G和25G及更高速率激光器芯片系列產品等，目前主要應用于光纖接入、4G／5G移動通信網絡和數據中心等領域。已實現向客戶A1、海信寬帶、中際旭創、博創科技、銘普光磁等國際前十大及國內主流光模塊廠商批量供貨，產品用于客戶A、中興通訊、諾基亞等國內外大型通訊設備商，并最終應用于中國移動、中國聯通、中國電信、AT＆T等國內外知名運營商網絡中，已成為國內領先的光芯片供應商。

5G市場發展推動營收增長

從財務數據來看，2018年至2021年6月，源杰半導體營業收入分別為7041．11萬元、8131．23萬元、23337．49萬元和8751．34萬元。可以看到，2020年營收規模較上一年出現大幅增長。

源杰半導體表示，2020年度營業收入規模迅速增長，主要系在5G政策推動下，下游市場對公司的25G激光器芯片系列產品需求量大幅增長所致。

建立“兩大平臺”，積累“八大技術”

值得注意的是，源杰半導體在其招股書中提到，公司已建立了包含芯片設計、晶圓制造、芯片加工和測試的IDM全流程業務體系，擁有多條覆蓋MOCVD外延生長、光柵工藝、光波導制作、金屬化工藝、端面鍍膜、自動化芯片測試、芯片高頻測試、可靠性測試驗證等全流程自主可控的生產線。

在此基礎上，公司形成了“掩埋型激光器芯片制造平臺”“脊波導型激光器芯片制造平臺”兩大平臺，積累了“高速調制激光器芯片技術”“異質化合物半導體材料對接生長技術”“小發散角技術”等八大技術。

在產品開發上，公司已實現高速率、高可靠性、高性價比產品的開發：一是高速調制激光器芯片技術，實現高速激光器芯片的規模化生產；二是異質化合物半導體材料對接生長技術，實現高溫、大電流工作環境中高速激光器芯片產品的高可靠性；三是公司主要產品（2．5G、10G、25G激光器芯片系列）獲得行業認可，高速激光器芯片技術先進。

源杰半導體表示，在研項目提供國內領先、國際先進的光電信息傳輸方案，包括：大功率硅光激光器芯片滿足數據中心 100G、400G 的高速傳輸需求；100G 激光器芯片滿足數據中心 400G、800G 的高速傳輸需求；50G 激光器芯片滿足數據中心 200G、400G 的高速傳輸需求。

曾獲得華為哈勃等實力機構投資

眾所周知，目前我國核心光通信芯片的國產化率較低，高端激光器芯片技術門檻高，主要依靠進口。在低速率2．5Gb／s光通信芯片國產化率接近50％，但高速率10Gb／s及以上的光通信芯片國產化率不超過5％，國內企業主要依賴于Oclaro、Neophotonics、Avago／Broadcom、三菱、住友等美日公司。

隨著5G通信應用市場普及與落地，國內光通信芯片也開始走上臺面，漸漸受到資本市場的青睞。據天眼查顯示，源杰半導體曾于2020年9月獲得華為哈勃投資，這也是哈勃投資在西安投資的第1家半導體芯片企業。哈勃投資是華為全資子公司，專注半導體芯片產業鏈投資，覆蓋了第三代半導體（碳化硅）、晶圓級光芯片、電源管理芯片、時鐘芯片、射頻濾波器、人工智能等多個領域。

此外，中國光模塊行業龍頭企業中際旭創也曾通過設立旗下公司寧波創澤云投資合伙企業，出資202萬元投資源杰半導體。此外還有幾家實力券商系機構的身影也曾投資過源杰半導體，包括中信證券投資有限公司、以及廣發乾和投資有限公司等。