投資界－西安創業6月16日消息，日前，西安晟光硅研半導體科技有限公司（以下簡稱“晟光硅研”）完成戰略融資，投資方為深圳市捷佳偉創新能源裝備股份有限公司（以下簡稱“捷佳偉創”），助力晟光硅研打造成為一個面向泛半導體行業擁有科技承載力和創新驅動發展示范性的高新技術公司。此次投資后，晟光硅研注冊資本增加至2133．33萬元人民幣。

晟光硅研成立于2021年2月，主營業務為半導體材料及專用設備的研發和銷售，主要產品包括圍繞第三代半導體晶圓材料的滾圓、切片、劃片等設備。作為新一代半導體材料加工設備的技術領先者，晟光硅研擁有半導體加工設備領域核心技術專利9項，其掌握的微射流激光切割技術，已經成功完成6英寸碳化硅晶錠的切割，可實現高效率、高質量、低成本、低損傷、高良品率碳化硅單晶襯底制備，在第三代半導體切割領域具有獨創性、開拓性與先導性，將引起全球范圍內該領域的技術迭代，具有非常廣泛的推廣應用價值。

據了解，晟光硅研發明專利一種碳化硅晶片單向四次雙向六及八級臺階切割工藝，通過上面在碳化硅晶錠厚度方向的對稱位置第1次切割至最深位置；隨后在左邊和右邊同樣地進行3次切割到與第1次相同深度，從而建立起一個相對平緩的多次水射流寬度的面，這個面作為避免水柱干擾的第二深度切割的起始面；在中心對稱線的左側采用相同的噴口進行第2層首次切割到其最深深度；隨后在厚度對稱軸線的右側進行2次切割，并達到與第2層首次切割的相同深度；進行第3層首次切割，以達到碳化硅晶錠半徑以上深度。本發明通過臺階法切割實現單晶碳化硅晶錠的高深度切割，實現了高效率、高質量、低成本、低損傷、高出品率制備SiC單晶襯底，具有推廣應用的價值。

晟光硅研總經理楊森在本次活動中首次公開披露技術細節及技術延展路徑，微射流激光技術經過晟光硅研團隊持續兩年的研發，一次切割完成的晶片表面形貌已接近CMP處理水平。并完成9項專利注冊，6項原創發明專利的申報，并在切割技術領域已經做好市場推廣計劃和長期技術升級規劃。

西安航天基地投資合作委員會主任田農指出，在中 美脫鉤的大背景下，國內自主創新發展是必由之路，以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體一直以來備受市場重視，晟光硅研作為航天基地科技成果就地轉化項目，獲得了上市公司捷佳偉創的戰略投資，并得到行業頭部企業的認可，是發展的重要里程碑。

投資方捷佳偉創董事長余仲表示，隨著5G、人工智能、新能源車的快速發展，我國第三代半導體產業也正全面爆發，未來的發展需要前瞻科技，助力初創企業，推動本土創新。面對這個重要歷史機遇，捷佳偉創將助力晟光硅研，抓住信息產業半導體材料應用領域最新發展趨勢，共同推動中國半導體領域的換道超車。

捷佳偉創是一家國內領先的從事晶體硅太陽能電池設備研發、生產和銷售的國家高新技術企業。主要產品包括PECVD及擴散爐等半導體摻雜沉積工藝光伏設備、清洗、刻蝕、制絨等濕法工藝光伏設備以及自動化（配套）設備、全自動絲網印刷設備等晶體硅太陽能電池生產工藝流程中的主要及配套設備的研發、制造和銷售，2020年度年營業收入40余億。