8月27日，重慶市人民政府與紫光集團簽署紫光存儲芯片產業基地項目合作協議。紫光集團將在重慶建設包括DRAM總部研發中心在內的紫光DRAM事業群總部、DRAM存儲芯片制造工廠，據悉，DRAM存儲芯片制造工廠計劃于2019年底開工建設，預計2021年建成投產。
DRAM分為很多種，常見的主要有FPRAM／FastPage、EDORAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM 和WRAM。DRAM也叫動態隨機存取存儲器，DRAM 只能將數據保持很短的時間，所以需要定時刷新。由于DRAM的特性決定，DRAM能存儲電荷的時間非常短暫，這樣它需要在電荷消失之前進行刷新，直到下次寫入數據或者計算機斷電才停止。每次讀寫操作都要刷新DRAM內的電荷，因此DRAM設計為有規律的讀取其內的內容。
在全球的DRAM芯片市場上，韓國三星和海力士，美國的鎂光、英特爾、閃迪，日本的東芝六家廠商，壟斷了全球九成的產量。其中僅三星、海力士、東芝三家，就占了八成的份額。DRAM芯片作為存儲芯片市場的主力，近年來，隨著存儲價格的走低，對整個市場影響很大，不管是上游制造商還是分銷商、客戶等，市場走低勢必影響投入，而紫光本次的加大投入也預示著行業正在回暖，市場前景仍廣闊。
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