SiC MOSFET支持高能效、小外形、強固和高性價比的高頻設(shè)計，

　　用于汽車、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)

　　推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體，推出了兩款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工業(yè)級NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽車級NVHL080N120SC1把寬禁帶技術(shù)的使能、廣泛性能優(yōu)勢帶到重要的高增長終端應(yīng)用領(lǐng)域如汽車DC-DC、電動汽車車載充電機、太陽能、不間斷電源及服務(wù)器電源。

　　這標志著安森美半導體壯大其全面且不斷成長的SiC 生態(tài)系統(tǒng)，包括SiC二極管和SiC驅(qū)動器等互補器件，以及重要設(shè)計資源如器件仿真工具、SPICE模型和應(yīng)用信息，以幫助設(shè)計和系統(tǒng)工程師應(yīng)對高頻電路的開發(fā)挑戰(zhàn)。

　　安森美半導體的1200伏(V)、80毫歐(mΩ)、SiC MOSFET是強固的，符合現(xiàn)代高頻設(shè)計的需求。它們結(jié)合高功率密度及高能效的工作優(yōu)勢，由于器件的更小占位，可顯著降低運行成本和整體系統(tǒng)尺寸。這些特性使需要的熱管理更少，進一步減少物料單(BoM)成本、尺寸和重量。

　　新器件的關(guān)鍵特性和相關(guān)設(shè)計優(yōu)勢包括領(lǐng)先同類的低漏電流、具低反向恢復電荷的快速本征二極管，從而大大降低功耗，支持更高頻率工作和更高功率密度，低導通損耗(Eon)及關(guān)斷損耗(Eoff) / 快速導通及關(guān)斷結(jié)合低正向電壓降低總功耗，因此減少散熱要求。低電容支持以很高頻率開關(guān)的能力，減少惱人的電磁干擾(EMI)問題；同時，更高浪涌、雪崩能力和強固的短路保護增強整體強固性，提高可靠性和延長總預(yù)期使用壽命。

　　安森美半導體新的SiC MOSFET另一獨特的優(yōu)勢是具有專利的終端結(jié)構(gòu)，增加了可靠性和強固性，并增強了工作穩(wěn)定性。NVHL080N120SC1設(shè)計用于承受高浪涌電流，并提供高的雪崩能力和強固的短路保護。符合AEC-Q101的MOSFET及其它SiC器件，確?？沙浞钟糜谝蛉赵龅碾娮雍亢碗妱觿恿偝啥d起的越來越多的車載應(yīng)用。175℃的最高工作溫度適合汽車設(shè)計，以及高密度和空間限制推高典型環(huán)境溫度的其他目標應(yīng)用。

　　安森美半導體電源方案部功率MOSFET分部副總裁兼總經(jīng)理Gary Straker就新的SiC MOSFET的推出和公司寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的總體增強說：“最重要的應(yīng)用和當前的大趨勢越來越要求超越常規(guī)硅器件的全方面性能。安森美半導體全面的SiC產(chǎn)品陣容因這兩款新MOSFET的推出而增強，并由含一系列工具和資源的生態(tài)系統(tǒng)支持，說明我們不僅可提供完整的寬禁帶器件方案，還可引導工程師通過開發(fā)和導入設(shè)計流程實現(xiàn)預(yù)期功能的、具性價比、高可靠性及長使用壽命的方案?！?/p>

　　安森美半導體現(xiàn)在美國加利福尼亞州阿納海姆舉行的APEC展示SiC器件和方案，并計劃在2019年推出更多的寬禁帶器件。