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“氮化物半导体新结构材料研究”将作为重点研发计划

2018-10-27
關(guān)鍵詞: 氮化物 半导体 北京大学

  氮化物是氮與電負(fù)性比它小的元素形成的二元化合物。由過渡元素和氮直接化合生成的氮化物又稱金屬型氮化物。它們屬于 “間充化合物”,因氮原子占據(jù)著金屬晶格中的間隙位置而得名。這種化合物在外觀、硬度和導(dǎo)電性方面似金屬,一般都是硬度大、熔點高、 化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,并有導(dǎo)電性。鈦、釩、鋯、鉭等的氮化物堅硬難熔,具有耐化學(xué)腐蝕、耐高溫等特 點。例如,TiN熔點為2 930~2 950℃,是熱和電的良導(dǎo)體,低溫下有超導(dǎo)性,是制造噴氣發(fā)動機的材料。ZrN在低溫有超導(dǎo)性,現(xiàn)用作反應(yīng)堆材料。

  近日,由北京大學(xué)作為牽頭單位,聯(lián)合清華大學(xué)、中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、北京郵電大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、廣東省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院、華中科技大學(xué)、中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所、中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所、湖南大學(xué)、廈門大學(xué)、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、北京科技大學(xué)、合肥彩虹藍(lán)光科技有限公司等14家單位共同承擔(dān)的國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點專項“氮化物半導(dǎo)體新結(jié)構(gòu)材料和新功能器件研究”項目啟動會,在北京西郊賓館會議中心舉行。

  科技部高技術(shù)研究發(fā)展中心材料處處長史冬梅、“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”專項主管楊斌代表項目管理部門出席并指導(dǎo)項目啟動的相關(guān)工作。出席項目啟動會的專家包括南京大學(xué)鄭有炓院士、北京大學(xué)甘子釗院士、基金委信息學(xué)部主任西安電子科技大學(xué)郝躍院士、基金委信息學(xué)部綜合處潘慶處長、香港科技大學(xué)葛惟昆教授、蘇州納米所徐科研究員、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院邱宇峰教授、半導(dǎo)體所陳弘達(dá)研究員、李晉閩研究員、南京大學(xué)施毅教授、物理所韓秀峰研究員、北京大學(xué)沈波教授和王新強教授等。北京大學(xué)科研部副部長韋宇也應(yīng)邀出席了啟動會。

  北京大學(xué)物理學(xué)院寬禁帶半導(dǎo)體研究中心唐寧副教授作為項目負(fù)責(zé)人介紹了項目總體情況以及項目的實施方案。項目各課題負(fù)責(zé)人清華大學(xué)郝智彪教授、蘇州納米所邊歷峰研究員和唐寧分別匯報了所負(fù)責(zé)課題的概況、實施方案及近期研究進(jìn)展。

  該項目圍繞后摩爾時代信息領(lǐng)域?qū)Ψ至⒐怆娮雍碗娮悠骷男枨螅_展基于氮化物半導(dǎo)體新結(jié)構(gòu)材料和新功能器件的研究,重點突破氮化物半導(dǎo)體的零維量子點、一維量子線和二維量子阱及其復(fù)合結(jié)構(gòu)等低維量子結(jié)構(gòu)的制備,深入研究低維量子結(jié)構(gòu)中載流子的輸運/復(fù)合/躍遷及其調(diào)控規(guī)律,研制出單光子源、紫外紅外雙色探測器、太赫茲發(fā)射及探測器件和自旋場效應(yīng)晶體管器件,形成具有自主知識產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù),為第三代半導(dǎo)體材料和器件的持續(xù)發(fā)展奠定基礎(chǔ)。

  專家組針對項目的研究內(nèi)容進(jìn)行了研討與分析,在對項目充分肯定的同時,也對項目的基礎(chǔ)科學(xué)創(chuàng)新、關(guān)鍵考核指標(biāo)以及團(tuán)隊合作、項目管理等方面提出了寶貴的意見和建議,并預(yù)祝項目組順利完成項目任務(wù),推動我國在寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件領(lǐng)域的進(jìn)一步發(fā)展。


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