近年來由于各項(xiàng)智能設(shè)備以及人工智能的應(yīng)用，人們對芯片計(jì)算能力的需求越來越大。芯片的運(yùn)算能力取決于基本運(yùn)算單元電晶體的多寡，但由于電晶體的研發(fā)已漸漸接近物理極限，無法再繼續(xù)縮小，因此科學(xué)家及各個(gè)科技大廠正在不斷研究下個(gè)能使芯片運(yùn)算速度提升的方法。

其中一個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在追求的新興技術(shù)就是三維芯片，三維芯片利用高度的堆疊來整合不同的芯片，可以更有效利用空間、放入更多元件，增加運(yùn)算速度。

研究人員：新技術(shù)前景可期

麻省理工學(xué)院的研究員近期利用納米碳管和電阻式存儲器（RRAM）發(fā)展出新的三維芯片制造方法，目前已發(fā)布在期刊《Nature》上。有別于傳統(tǒng)以矽為基礎(chǔ)的芯片，這次芯片為納米碳管及 RRAM 組成，由于納米碳管電路及 RRAM 制作時(shí)只需攝氏 200 度，因此解決了傳統(tǒng)硅晶片制程時(shí)需要超過攝氏 1 千度高溫，會損壞三維芯片多層次結(jié)構(gòu)的問題。

此外，納米碳管和 RRAM 的能源消耗效率也比傳統(tǒng)芯片元件佳。

該團(tuán)隊(duì)表示下一步將會與半導(dǎo)體公司合作開發(fā)新版本的三維芯片，把感測功能及資料處理功能也加入單一芯片中。有專家表示，這項(xiàng)發(fā)明可能會是延續(xù)摩爾定律的重要關(guān)鍵，雖然可能還需要很長時(shí)間的研究，不過前景可讓人期待的。