為物聯(lián)網(wǎng)應用提供更低功耗；

　　高性價比的SONOS非易失性存儲器具備高良率和可擴展的工藝特點

　　加利福尼亞州圣何塞，2017年4月12日 –全球領先的嵌入式非易失性存儲器解決方案提供商賽普拉斯半導體公司（納斯達克代碼：CY）與中國最先進的純晶圓代工廠之一，上海華力微電子有限公司（華力）今日共同宣布，基于華力 55納米低功耗工藝技術(shù)和賽普拉斯SONOS （氧化硅氮氧化硅）嵌入式閃存知識產(chǎn)權(quán)相結(jié)合，為閃存產(chǎn)品樹立了一個新的里程碑。華力的客戶已經(jīng)開始使用這項技術(shù)進行低功耗嵌入式閃存產(chǎn)品的試生產(chǎn)，針對藍牙低功耗和物聯(lián)網(wǎng)應用。賽普拉斯高耐用性、可擴展的SONOS嵌入式閃存工藝針對低功耗需求進行了優(yōu)化，使其成為微控制器（MCU）和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）應用的理想選擇。2017年下半年，華力的客戶即可采用該技術(shù)和設計IP進行全面量產(chǎn)。

　　賽普拉斯的SONOS嵌入式非易失性存儲器(NVM) 工藝與其他嵌入式NVM技術(shù)相比具有顯著的優(yōu)勢。SONOS擁有更小的存儲單元尺寸、更低的生產(chǎn)成本，與其他嵌入式閃存技術(shù)需要9至12層額外的掩膜不同，SONOS技術(shù)只需要在原有CMOS工藝上增加3層。SONOS本身具有高良率和極佳的可靠性、10年的數(shù)據(jù)保持、20萬次編程/擦寫壽命，以及強大的抗軟錯誤能力。賽普拉斯已經(jīng)展示了將SONOS延伸到40納米和28納米節(jié)點的能力，以加速未來IP的開發(fā)。

　　華力副總裁舒奇表示：“物聯(lián)網(wǎng)應用對低成本、低功耗嵌入式閃存的需求不斷提升，我們非常高興能夠達到這個里程碑，同時我們也希望能夠?qū)崿F(xiàn)迅速量產(chǎn)的目標，以滿足客戶的需求。賽普拉斯SONOS嵌入式非易失性存儲器技術(shù)具備高性價比和高良率的特性，其可靠性和高效性對于量產(chǎn)低功耗嵌入式閃存產(chǎn)品十分理想。”

　　賽普拉斯存儲器產(chǎn)品事業(yè)部資深副總Sam Geha表示： “華力堅實的55納米低功耗工藝技術(shù)和生產(chǎn)經(jīng)驗與我們高性能、具備領先可靠性的SONOS閃存技術(shù)的結(jié)合，確保了這些低功耗嵌入式閃存產(chǎn)品順利實現(xiàn)試產(chǎn)。我們與華力的合作再次證明了，SONOS技術(shù)將通過賽普拉斯與世界領先代工廠的合作而成為嵌入式非易失性存儲器平臺的最佳選擇，同時也展示了賽普拉斯致力于解決新興物聯(lián)網(wǎng)應用所面臨的功耗問題的決心。”