內存市場日益擴大，研調機構 IC Insights 最新報告預測，DRAM 與 NAND 閃存等，未來 5 年年均復合增長率（CAGR）可達 7．3％，產值將從去年的 773 億美元擴增至 1，099 億美元。
報告將半導體區(qū)分成邏輯、內存，模擬與微組件（microcomponents）IC 等 4 種類型，在 5 年的預測區(qū)間內，以內存成長力道最為強勁，模擬 IC 以5．2％次之，微組件為 4．4％，至于臺積電擅長代工的邏輯 IC 則僅有 2．9％。
IC Insights 指出智能手機等移動設備對低功耗內存需求激增，是驅動 DRAM 與 NAND 閃存成長的主要動能。除此之外，使用 NAND 閃存的固態(tài)硬盤（SSD）在數據中心、筆電的應用也日趨吃重。
三星 6 日公布 2016 年第四季財報，在 Note 7 自燃召回的狀況下，營益竟然還能逆勢跳增近 80％，就是因為受惠于內存價格大漲，將利潤空間拉大。
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