SiC-MOSFET技術新突破。羅姆半導體(ROHM)近日研發出采用溝槽(Trench)結構的SiC-MOSFET，并已建立完整量產機制。新推出的溝槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比，可降低50%導通電阻，大幅降低太陽能發電用功率調節器和工業用變流器等設備的功率損耗。

　　羅姆半導體功率元件制造部部長伊野和英(左2)表示，新發布的溝槽式SiC-MOSFET采用該公司獨有的雙溝槽結構專利，目前已開始量產。

　　羅姆半導體應用設計支援部課長蘇建榮表示，相對于Si-IGBT，SiC-MOSFET有著耐高溫、高耐壓等特性，可降低導通電阻、切換損耗及能量損耗，使開關速度更快速，并藉由驅動頻率的提升，可讓機器小型化。

　　新研發的溝槽式SiC-MOSFET，其閘極部分為溝槽結構，可提高CELL密度，使相同導通電阻的元件以更小的晶片尺寸呈現，藉此打造導通損 耗更低、開關性能更好的元件。和過往平面型SiC-MOSFET相比，溝槽式SiC-MOSFET可降低約50%的導通電阻及約35%的輸入電容，提高開 關性能。

　　據悉，現今市面上的溝槽式SiC-MOSFET，多為單溝槽結構，雖可有效降低導通電阻，但由于其電場集中在閘極溝槽底部，若電場強度過大，便會擊穿底部，因此可靠性不佳。

　　羅姆半導體所研發的雙溝槽結構，在元件的源極(Source)部分也采用溝槽結構，此設計可緩和閘極溝槽電場集中的問題，以確保元件長期可靠 性。羅姆半導體功率元件制造部部長伊野和英進一步指出，該雙溝槽結構技術為該公司特有的技術，且已在日本、中國、歐洲及北美地區申請專利。

　　此外，羅姆半導體也采用此新溝槽式SiC-MOSFET研發出“全SiC功率模組”。該產品采用二合一的結構，包含兩個溝槽式SiC- MOSFET及一個SiC-SBD(蕭特基二極體)，額定電壓為1,200伏特(V)，額定電流180安培(A)。該模組比過往采用平面型SiC- MOSFET的全SiC功率模組，可降低約42%的開關損耗，至于跟IGBT模組相比，開關損耗更是大幅降低約77%。

　　未來羅姆半導體將持續研發多種SiC相關產品，包括3,300V的全SiC功率模組，及1,700V的SiC-SBD皆已在開發中。