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10纳米碳纳米管CMOS器件面世

2015-05-15

      近日,在北京市科委先導與優(yōu)勢材料創(chuàng)新發(fā)展專項支持下,北京大學彭練矛教授團隊在世界上首次研制出10納米碳納米管互補金屬氧化物半導體(CMOS)器件。與同尺寸硅基器件相比,該器件速度是其5倍,而功耗僅為1/5。該團隊還在世界上首次成功制備出含有100個晶體管的碳納米管集成電路

  下一步,該團隊將繼續(xù)優(yōu)化碳納米管CMOS器件制備工藝,建立標準的碳基CMOS器件技術加工平臺,并基于該平臺開發(fā)碳納米管CPU,最終推動碳基集成電路在下一代通用芯片和消費電子等領域的應用。


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