意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM）今天推出兩款適用于直流—直流轉換器的全新功率MOSFET（金屬互補氧化物場效應晶體管" title="場效應晶體管">場效應晶體管）產品。新產品采用ST獨有的最新版STripFET?制造技術，擁有極低的導通損耗和開關損耗，在一個典型的穩壓模塊內，兩種損耗的減少可達3瓦。在同類競爭產品中，新產品實現了最低的品質因數：FOM = 導通電阻" title="導通電阻">導通電阻Rds(on) x柵電荷量（Qg）。 ?

除高能效外，新款MOSFET準許實際電路的開關頻率" title="開關頻率">開關頻率高于正常開關頻率，這樣可以縮減電路無源器件的尺寸。例如，把電路的開關頻率提高10%，輸出濾波器需要的無源器件的尺寸就可以縮小10%。?

STD60N3LH5和STD85N3LH5是ST新系列STripFET V的頭兩款產品，因為導通電阻小，柵電荷總量被大幅度降低，新系列產品性能優異，能效明顯提高。兩款產品都是30V（BVDSS）器件。因為柵電荷量（Qg）僅為8.8nC（納庫化），在10V電壓時，導通電阻Rds（on）為7.2毫歐，所以STD60N3LH5是非隔離直流—直流降壓轉換器中的控制型場效應晶體管的理想選擇。在10V電壓時，導通電阻Rds（on）為4.2毫歐，柵電荷量為14nC，因此STD85N3LH5是同步場效應晶體管的最佳選擇。兩款新產品都采用DPAK和IPAK封裝，不久還將推出采用SO-8、PowerFLAT 3.3x3.3、PowerFLAT 6x5和PolarPAK?封裝的產品。新系列STripFET V產品最適合應用于筆記本電腦、服務器、電信設備和網絡系統。 ?

ST的STripFET技術利用非常高的等效單元密度和更小的單元特征尺寸來實現極低的導通電阻和開關損耗，同時硅面積占用率較低。STripFET V是最新一代的STripFET技術，與上一代技術相比，硅阻和活動區的關鍵指標改進大約35%，單位活動區內的柵電荷總量降低25%。?

兩款產品已投入量產。?

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關于意法半導體" title="意法半導體">意法半導體（ST）

意法半導體，是微電子應用領域中開發供應半導體解決方案的世界級主導廠商。硅片與系統技術的完美結合，雄厚的制造實力，廣泛的知識產權組合（IP），以及強大的戰略合作伙伴關系，使意法半導體在系統級芯片（SoC）技術方面居最前沿地位。在今天實現技術一體化的發展趨勢中，ST的產品扮演了一個重要的角色。公司股票分別在紐約股票交易所" title="股票交易所">股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米蘭股票交易所上市。2007年，公司凈收入100億美元，詳情請訪問ST網站 www.st.com 或 ST中文網站 www.stmicroelectronics.com.cn