三星電子(Samsung Electronics)為取得存儲器市場70%以上獲利，加速研發新技術與擴大產量。SK海力士(SK Hynix)與東芝(Toshiba)為抵擋三星獨霸而聯手，但技術力差距牽制不易。同時，因智能型手機事業陷低潮的三星，能否借存儲器事業翻身成為焦點。

　　據韓媒E-Daily報導，三星為搶占2015年存儲器半導體市場營業利益的70%正研擬策略。2015年合計DRAM與NAND Flash的整體存儲器半導體營收規模預估為80兆~90兆韓元(約728億~815億美元)。

　　更多以業界平均營益率25%計算，營業利益約在20兆韓元~23兆韓元。三星電子若想占有70%獲利，等于每一季營利達3.5兆~4兆韓元就可達成。

　　韓國證券業業預期，三星電子存儲器事業部2015年每季營利在3兆韓元以上，只要業績比市場預期稍微提高，就相當有可能達成目標。

　　三星存儲器技術目前仍處于領先地位，DRAM部分以競爭業者尚未開發的20納米制程技術為基礎，成功量產8GB LPDDR4芯片，并推出伺服器用、PC用及移動裝置用等所有類型產品。此外，三星也率先研發出V NAND制程TLC產品，也讓初期未能量產的競爭業者更加緊張。

　　三星為了延續獲利，也加速擴大產量。隨著采用V-NAND的SSD市場急速成長，2014年三星又在大陸西安NAND Flash廠追加投資1兆韓元擴充設備以便增產。而為因應Mobile DRAM需求激增，之前在韓國華城廠建立的系統半導體專用17號產線，也決定部份轉換為DRAM生產線。

　　為因應三星的閃電攻勢，SK海力士與東芝決定結束專利訴訟組成聯合陣線。東芝撤銷以SK海力士為對象的1.1兆韓元規模專利損害賠償告訴，并為了克服微細制程的界限，攜手開發納米壓印(NIL)等下一代技術。

　　SK海力士相關人士表示，透過這次擴大合作，可望強化技術競爭力，并消除潛在的經營不確定性。有助于二家公司競爭市場的領先地位。

　 　然而，這次結盟能否有具體成果仍是未知數。以NAND Flash市場強者東芝的立場，SK海力士跟三星電子同為不可小覷的對手。SK海力士近幾年擴大 NAND Flash相關投資，并將市占率拉高到10%。由于三星技術力大幅超前，東芝與SK海力士相互間競爭恐怕會更加激烈。