日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其Vishay Siliconix SiR662DP TrenchFET® 榮獲專業媒體《電子技術應用》(AET)的“中國優秀電子產品”獎。
在采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝的60V器件中，SiR662DP 60V N溝道功率MOSFET具有業內最低的導通電阻，以及60V器件中最低的導通電阻與柵極電荷乘積優值系數(FOM)。對于設計者，更低的MOSFET導通電阻使得傳導損耗更低，可減少功耗，尤其是在重負載條件下。低FOM減少了高頻和開關應用中的開關損耗，特別是在輕負載和待機模式下。器件的高效率使設計者能夠提高系統的功率密度，或同時在更綠色的設計方案中實現更低的能源損耗。
在兩個月的時間內，用戶通過在www.tom3567.com投票的方式選出了中國優秀電子產品獎的獲獎者。118款提名產品中有31款獲獎，SiR662DP榮獲分立元器件類的獎項。
《電子技術應用》創刊于1975年，內容覆蓋中國的電子、通信、工業控制和計算機行業。這是該雜志第三年評選中國優秀電子產品獎。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。