內容簡介：針對反熔絲OTP存儲器在不同工作模式下的電壓需求，基于SMIC 28 nm CMOS工藝，提出了一種Cascode結構的Level Shifter單元及分塊供電設計。實現了OTP存儲器在編程和讀取模式下WL/PL和BL端電壓的快速切換，使得Level Shifter單元翻轉延時小于2 ns，分塊供電設計降低了電容的寄生效應對OTP存儲器讀取閾值的影響，保證了OTP存儲器編程和讀取功能正常。