內容簡介：基于半導體工藝與器件模擬工具（TCAD）提出并仿真了一種基于緩變組分AlGaN和InGaN復合溝道的高線性GaN HEMT器件，該結構的復合溝道層形成了三維電子氣和二維電子氣雙溝道分布，器件柵壓擺幅高達4.1 V，比常規突變異質結HEMT提高2.2 V。器件跨導的二階導數的峰值比常規器件的低大約56%，顯示其優越的抑制三階互調的能力。另外，還探究了自熱效應對器件線性度的影響。所提出的器件結構在高線性應用領域具有良好的應用前景。