| 一种二阶补偿带隙基准设计 | |
| 所屬分類：技术论文 | |
| 上傳者：aet | |
| 文檔大小：477 K | |
| 標(biāo)簽： 基准电压 二阶补偿 分段补偿 | |
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| 文檔介紹：基于分段补偿原理和MOS管的漏极电流是过驱动电压的平方关系函数，提出了一种新颖的二阶补偿结构，仅引入一股与温度成平方关系的电流，既补偿了低温阶段的基准电压，又补偿了高温阶段的基准电压，大大提高了基准电压源随温度变化的稳定性。采用0.5 μm BCD工艺对电路进行仿真，结果表明，输出电压为1.24 V，温度范围在-35 ℃～135 ℃时，温度系数为2.82 ppm/℃；在低频时，电源抑制比达到了75.6 dB。 | |
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