| 基于光学干涉模型的碳化硅外延层厚度测量研究 | |
| 所屬分類：技术论文 | |
| 上傳者：wwei | |
| 文檔大小：1567 K | |
| 標簽： 碳化硅外延层 厚度测量 光学干涉模型 | |
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| 文檔介紹：碳化硅外延层厚度的精确测量是半导体器件制备的关键，基于2025年全国大学生数学建模竞赛B题实测数据开展研究。首先，采用Savitzky-Golay平滑滤波、波长窗口函数与Huber Loss鲁棒损失函数，预处理原始数据中的高频噪声、基线漂移及异常值。其次，构建双光束干涉模型，结合Sellmeier色散方程等推导厚度与相关参数的定量关系，通过快速傅里叶变换初估、非线性最小二乘迭代优化及逆方差加权平均实现高精度反演，经回灌检验验证有效性。再次，建立多光束干涉模型，基于传输矩阵法反演厚度，提出振荡成分提取与基线恢复校正方法降低干扰。 | |
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