| 高性能RISC-V处理器抗辐照加固设计 | |
| 所屬分類(lèi)：技术论文 | |
| 上傳者：wwei | |
| 文檔大小：4320 K | |
| 標(biāo)簽： RISC-V 抗辐照加固设计 三模冗余 | |
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| 文檔介紹：随着太空技术的蓬勃发展，芯片在辐照环境下的可靠性问题日益凸显。基于RISC-V指令集架构的高性能处理器C501，采用三模冗余方法和纠错检错技术分别对电路层和系统层进行抗辐照加固，同时采取访存请求强制不命中的策略来纠正校验错误的数据块，提高缓存系统的纠错能力。仿真实验结果表明，加固后的处理器可以通过纠正电路修复辐照引起的缓存数据错误，同时其最高工作频率降低8.8%，面积增加约为64.9%，性能基本保持不变。 | |
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