| 电容网络对射频SOI开关功率承受能力影响研究 | |
| 所屬分類：技术论文 | |
| 上傳者：wwei | |
| 文檔大?。?span>3913 K | |
| 標簽： 射频开关 功率处理能力 电容网络 | |
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| 文檔介紹：通过比较分析研究电容网络对射频SOI开关功率承受能力的影响，主要包括射频开关晶体管源极与漏极之间的横向耦合电容Cdsn和射频开关源极与漏极节点到GND的纵向耦合电容Cgndn。研究内容包括射频开关堆叠结构Cdsn/Cgndn逐步变化，前两级Cdsn/Cgndn电容值大小，前N级Cdsn/Cgndn电容网络对射频开关插入损耗、隔离度和功率承受能力的影响，研究结果为射频开关电路设计提供参考。 | |
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