| 针对总剂量效应4H-SiC功率器件的加固设计方法 | |
| 所屬分類：技术论文 | |
| 上傳者：wwei | |
| 文檔大小：3818 K | |
| 標簽： 4H-SiC 器件 总剂量效应 电路加固 | |
| 所需積分：0分積分不夠怎么辦？ | |
| 文檔介紹：介绍了总剂量效应对4H-SiC功率器件的影响以及对应的加固方案。首先介绍了4H-SiC功率器件的电气特性以及工作时面临的辐照环境。接着根据辐射对器件特性的影响，识别辐射缺陷，并建立了退化机制。然后，分析了单极性器件和双极性器件的辐照的特性。最后，针对器件在辐照环境中的退化机理，分别从工艺、器件结构、版图与电路方面提出了加固设计方法。 | |
| 現在下載 | |
| VIP會員，AET專家下載不扣分；重復下載不扣分，本人上傳資源不扣分。 | |
Copyright ? 2005-2024 華北計算機系統工程研究所版權所有 京ICP備10017138號-2