| X波段功率器件外壳端口仿真与测试差异性研究 | |
| 所屬分類：技术论文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：1005 K | |
| 標(biāo)簽： 探针测试 X波段 大功率封装外壳 | |
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| 文檔介紹：基于探针测试方法进行X波段功率器件外壳端口的仿真与测试差异性研究。在使用仿真软件对其进行优化后,通过HTCC(高温共烧陶瓷)工艺线制备和生产，发现使用GSG探针对该端口进行测试后的插入损耗远远大于仿真结果。通过对照实验和仿真验证等实验方法，分析出插入损耗仿真与测试的差异来源于辐射损耗，导致信号在返回路径的信号完整性受到影响。对结构进行相应的优化后插入损耗大幅减小，证明辐射损耗是造成差距的原因，通过电磁屏蔽可以得到有效解决。该研究可以为大功率器件类封装外壳的设计、测试和使用提供借鉴意义。 | |
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