| 面向SoC的SRAM读出电路加固设计 | |
| 所屬分類：技术论文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大?。?span>779 K | |
| 標簽： SOC 单粒子翻转 SRAM读出电路 | |
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| 文檔介紹：SRAM存储器在SoC芯片中的应用已经越来越普遍，存储单元的加固设计已成为抗辐射SoC芯片设计首要考虑的问题之一。提出了两种SRAM读出电路的加固结构，分别从读出电路结构、数据读出速度和抗单粒子翻转能力等方面进行了对比。两种读出结构的SRAM均有较好的抗单粒子能力，但相比较单模双互锁结构的SRAM，双模双互锁读出结构的SRAM读出时间更短。 | |
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