| 基于场路耦合的反激变换器板级辐射研究 | |
| 所屬分類：技术论文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：1043 K | |
| 標簽： 开关电源 反激变换器 辐射干扰 | |
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| 文檔介紹：辐射干扰问题是制约电源产品高频化、小型化的因素之一。基于场路耦合的仿真思路，建立MOSFET的电磁场有限元模型和高频变压器的等效高频电路模型。结合从SIwave电磁仿真软件中提取的PCB网络参数，对一款5 W输出的反激变换器的板级辐射干扰进行联合仿真，并对比了两种高频变压器模型对远场仿真结果的影响。实验结果表明，在230 MHz以内的频段3 m远场仿真超标频点与实测吻合，验证了该仿真方法的正确性，且简化的变压器二电容模型具有更宽频带的适用性；所得到的近场电磁场分布表明MOSFET和变压器副边的整流二极管是主要的辐射源。 | |
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