| 采用平面分栅结构的高增益宽带射频VDMOS研制 | |
| 所屬分類：技术论文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：843 K | |
| 標簽： 射频 场效应晶体管 分栅 | |
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| 文檔介紹：硅基射频场效应晶体管具有线性度好、驱动电路简单、开关速度快、热稳定性好、没有二次击穿等优点，在HF、VHF和UHF波段具有广阔的应用前景。针对射频场效应晶体管宽带、高增益和高效率的应用需求，基于标准平面MOS工艺，采用平面分栅(split gate)结构，通过优化结构和工艺参数研制出一款工作电压为28 V的硅基射频垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)。该器件在30~90 MHz频段范围内，小信号增益大于19 dB，在60 MHz频点下连续波输出功率可以达到87 W，功率附加效率达72.4 %，具有优异的射频性能。 | |
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