| 基于 HVCMOS工艺的H桥驱动电路版图设计 | |
| 所屬分類：技术论文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：896 K | |
| 標簽： HVCMOS H桥 高集成度 | |
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| 文檔介紹：介绍了基于HVCMOS工艺的低成本、高集成度、强驱动性能功率集成电路(Power IC，PIC)H桥的设计实现。建立的金属互连线评估模型可在设计早期对H桥物理版图方案进行优差性判断，不依赖设计后仿真,从而提高设计效率。H桥不同互连线设计方案的比较结果表明，多插指阵列器件互连线(M2及以上层金属)与器件本体的金属层M1垂直、梯形状互连结构，能够提高互连线沿电流流向的有效长宽比，减小寄生电阻。 | |
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