| 基于STT-MRAM的位逻辑运算方案及灵敏放大器设计 | |
| 所屬分類：技术论文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大?。?span>646 K | |
| 標(biāo)簽： 自旋转移矩-磁随机存储器(STT-MRAM) 位逻辑运算 高速 | |
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| 文檔介紹：基于1T1MTJ的自旋转移矩-磁随机存储器(STT-MRAM)提出了一种改进型存内位逻辑计算方案。该方案通过精简2T2MTJ存内位逻辑运算方案提升了存储阵列密度，通过互补型读出电路增加了“与非”和“或非”的运算功能。此外，还通过增加支路电压稳定电路的方法，提出了一种适用于上述方案的改进型高速灵敏放大器。基于中芯国际55 nm LL逻辑工艺的仿真结果表明，相较于传统的灵敏放大器，该方案不仅读取速度提升了33%，在适配大型存储阵列(CB≥0.8 pF)时还拥有更强的读取能力与更优的功率积(PDP)。 | |
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