| 基于Ga2O3的场效应器件研究进展 | |
| 所屬分類：技术论文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：660 K | |
| 標(biāo)簽： Ga2O3 宽禁带半导体 场效应晶体管 | |
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| 文檔介紹：氧化镓(Ga2O3)作为第三代宽禁带半导体材料，由于其超宽带隙、高击穿场强以及高巴利加优值等优点，广泛应用于大功率器件等领域，已成为近几年来国内外科研人员研究的热点。主要介绍了Ga2O3材料的特性，总结了基于Ga2O3的场效应晶体管（FET）的研究进展，对Ga2O3功率器件的发展进行了思考归纳。 | |
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