| 缓冲层材料对纤锌矿结构GaN(0001)光电发射性能的影响研究 | |
| 所屬分類：技术论文 | |
| 上傳者：v895bv | |
| 文檔大小：280 K | |
| 標(biāo)簽： GaN | |
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| 文檔介紹：利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上异质外延生长了GaN光电发射层，为降低GaN发射层和蓝宝石衬底间的晶格失配与热失配，在蓝宝石衬底和GaN发射层间分别采用了AlN和AlxGa1-xN两种不同的缓冲层材料。对具有不同缓冲层材料的两种样品进行了表面清洗与激活，在激活结束后利用多信息量测试系统分别测试了样品的光谱响应，其最大量子效率分别为13%和20%，依据激活后光电阴极的光谱响应作为评估标准，可以得出，采用组份渐变AlxGa1-xN作为缓冲层激活出的阴极具有更高的光电发射性能，从而实现了GaN光电阴极结构的优化设计。 | |
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