| 绝缘栅双极晶体管(IGBT)的基本特性与驱动 | |
| 所屬分類：解决方案 | |
| 上傳者：hbcxzcj | |
| 文檔大小：393 K | |
| 標簽： IGBT 晶体管 | |
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| 文檔介紹：摘要：IGBT 的全 称是Insulate Gate Bipolar Transistor，即绝缘栅双极晶体管。它兼具MOSFET和GTR的多项优点，极大的扩展了半导体器件的功率应用领域。例如将之应用于变频空调逆变电路当中，显著地改善了空调的性能。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 | |
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