| 选择文件 并联增强型氮化镓场效应晶体管提高转换器性能 | |
| 所屬分類：解决方案 | |
| 上傳者：news | |
| 文檔大小：630 K | |
| 標(biāo)簽： ADI TI FPGA | |
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| 文檔介紹：氮化镓是一种具有较大禁带宽度的半导体，属于所谓宽禁带半导体之列。它是微波功率晶体管的优良材料，也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的半导体。 增强型氮化镓(eGaN)FET与硅功率MOSFET相比有许多优势，而且就像MOSFET一样，许多设计人员想通过并联器件来提高其转换器的功率性能。因为eGaN FET的开关速度要比商用MOSFET快十倍，所以并联会带来许多新挑战。这篇文章分成两部分，讨论了这些挑战并提出了如何获得优异性能的建议。 | |
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