實驗目的：突破4KB的Steppingstone存儲空間限制，讀取NandFlash中4KB后的代碼實現“點燈大法”，借此掌握NandFlash的操作。

　　實驗環境及說明：恒頤S3C2410開發板H2410。H2410核心板的NandFlash選用的是三星片上(SOP)K9F1208U0M，該NandFlash容量為64MB。

　　實驗思路：開發板上電啟動后，自動將NandFlash開始的4K數據復制到SRAM中，然后跳轉到0地址開始執行。然后初始化存儲控制器SDRAM，調用NandFlash讀函數操作把4KB后的點燈代碼復制到SDRAM中，跳到點燈代碼的入口點實現點燈操作。

　　知識掌握：NandFlash內部結構、命令字及存儲控制器

　　一、NandFlash內部結構

　　不同開發板使用的NandFlash的型號可能不一樣，本文只是以K9F1208U0M為例做個簡單介紹。引腳描述如下所示：

　　NandFlash存儲單元結構圖如下所示：

　　Device、Block和Page之間的關系---1 Device = 4,096 Blocks = 4096*32 Pages = 128K Pages；1 Block = 32 Page；1 Page = 528 Byte = 512 Byte + 16 Byte。其中1 Page中包含有數據寄存器512 Byte和16 Byte的備用位用于ECC校驗存儲。所以有528 columns * 128K rows(Pages)。1 Page中的512 Byte的數據寄存器又分為兩個部分1st 256 Bytes和 2nd 256 Bytes。用于數據存儲的單元有 512 Bytes * 32 Pages * 4096 Blocks = 64 MB，用于ECC校驗單元有16 Bytes * 32 Pages * 4096 Blocks = 2MB 。

　　二、NandFlash命令字

　　操作NandFlash時，先傳輸命令，然后傳輸地址，最后進行數據的讀/寫。K9F1208U0M的命令字如下所示：

　　由于尋址需要26bit的地址，該26bit地址通過四個周期發送到NandFlash，如下圖所示：