??? 經(jīng)常有人將磁阻RAM（MRAM，Magnetoresistive Random Access Memory）稱作是易失性" title="易失性">易失性" title="非易失性" title="非易失性">非易失性">非易失性存儲(chǔ)器" title="非易失性存儲(chǔ)器" title="非易失性存儲(chǔ)器">非易失性存儲(chǔ)器">非易失性存儲(chǔ)器的關(guān)鍵技術(shù)。作為一項(xiàng)非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，MRAM可以在掉電時(shí)保留數(shù)據(jù)，并且不需要定期刷新。MRAM利用磁性材料" title="磁性材料">磁性材料和傳統(tǒng)的硅電路在單個(gè)器件中提供了SRAM的高速度和閃存的非易失性，它的壽命幾乎是沒有限制的。MRAM器件可以用于高速緩沖器、配置內(nèi)存和其它要求高速、耐用和非易失性的商業(yè)應(yīng)用。
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飛思卡爾" title="飛思卡爾">飛思卡爾擴(kuò)展MRAM產(chǎn)品系列 引領(lǐng)非易失性存儲(chǔ)器的未來.pdf
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