【2026年6月15日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出基于成熟可靠750V CoolSiC? G2技術平臺打造的碳化硅（SiC）雙向開關（BDS）。該產品采用垂直集成雙芯片共漏極設計，采用頂部散熱Q-DPAK封裝，將兩個功率開關整合到同一器件中，既簡化了系統設計，也實現了傳統拓撲革新。750V CoolSiC? BDS可提供現代電網和能源系統所需的可靠性裕量，能夠在應用的這個生命周期內實現極低的總體擁有成本。
750V CoolSiC? BDS具備業界領先的RDS(on) × Qfr、優異的RDS(on) × QOSS，以及低Qg值，可有效降低開關損耗與導通損耗，實現超高速、高效的開關動作。在25℃條件下，典型柵閾值電壓VGS(th)為4.5V，搭配超低Q GD/Q GS比值，可增強寄生導通抗擾性；擴展后的柵極偏壓容限可支持-11V至25V瞬態電壓，能夠提升設計裕量并增強兼容性。該產品額定dv/dt可達200V/ns，可在不影響耐用性的前提下支持高頻設計。該產品系列阻值覆蓋范圍為14mΩ至66mΩ。
該產品專為高要求的電源系統而設計，提供 840 V (BR)DSS，為超過 500 V 的母線電壓時提供充足的裕量。此外，它還具有經驗證的雪崩耐受性、100 小時內高達 200°C 的過載耐受能力和 2 μs 的短路耐受時間。這些器件能夠有效保護系統，免受實際環境中電壓浪涌、能量脈沖、瞬態應力以及浪涌電流的影響，確保系統能夠長期穩定運行，并具備容錯能力。
750V CoolSiC? BDS擴展了英飛凌?頂部散熱?產品家族，可適配當下要求最嚴苛、發展迅速的應用場景，支持原生液冷設計，通過拓撲層面的設計迭代，實現了全新的能效水平。
在汽車應用中，該產品非常適用于車載充電器（OBC）、電動汽車充電以及eFuse（電子保險絲）和預充電電路。與CoolSiC? H-DPAK半橋器件配合使用，可幫助設計平順過渡到基于SiC技術的單級車載充電器，讓設計不僅兼具高功率密度和高成本效益，而且節省空間。
在工業應用領域，它為快速迭代的各類應用場景帶來了革新：
·配備原生液冷的HVDC AI電源
·戶用太陽能與儲能系統
·醫院及現場數據中心的HVAC系統
·適用于電動垂直起降飛行器（eVTOL）的電流源逆變器（CSI）驅動
·電力及IT機架中的HVDC保護
·人形機器人集群快速充電
供貨情況
該產品已開始提供樣品。
